Elettronica Applicata
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OSCILLATORI SINUSOIDALI
Oscillatori 1Elettronica applicata
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SOMMARIO Cosa รจ un oscillatore sinusoidale Condizioni per la generazione dellโoscillazione: criterio di Barkhausen Fasi di funzionamento di un oscillatore:
Transitorio Stabilizzazione ampiezza Regime
Parametri di qualitร : coefficienti SF, THD, Q TIPI di OSCILLATORI sinusoidali:
BASSA FREQUENZA A sfasamento A ponte di Wien In quadratura
ALTA FREQUENZA A Tre Punti Con quarzo
Oscillatori 2Elettronica applicata
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OSCILLATORE:Circuito che genera in uscita un segnale periodico in assenza di segnale di ingresso, tale da autosostenersi TIPOLOGIE
LINEARI
Sinusoidali
NON LINEARI
Onde quadra, triangolare..( Multivibratori astabili,
monostabili, Ring oscillator..)
Oscillatori 3Elettronica applicata
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CONDIZIONI DI OSCILLAZIONESi consideri la seguente catena :
A
b
1
2
-
x0= Axi
xi
xf = bx0
xโf = - xf
xf = bx0= Abxi
xโf = - xf = - Abxi
Sia il G guadagno di Anello cosรฌ definito:
๐ฅ๐โฒ
๐ฅ๐=
โ๐ฅ๐
๐ฅ๐= - Ab
Connettiamo il nodo 1 al nodo 2. La rete continuerร a comportarsi nello stesso modo, fornendo la stessa uscita x0
Oscillatori 4Elettronica applicata
xs= xi
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CONDIZIONI DI OSCILLAZIONE
x0= Axi=- Abx0
xi= xโf = - xf = - bx0
Si ha dunque che:-Ab= 1
Guadagno ad
anello unitario
๐ฝ๐ด = 1
๐ฝ๐ด = โ180ยฐ, โ๐ฝ๐ด = 2๐๐
Condizioni di Barkhausen
-Ab= 1
Nel caso di reti lineari, consegue che x0 xi in fase, frequenza e
ampiezza
โก
A
b
-
x0= Axi
xi= xโf
xf = bx0
xโf =- xf
1 2โก
Oscillatori 5Elettronica applicata
xs=0
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CONDIZIONI DI OSCILLAZIONE
Le condizioni:
๐ฝ๐ด = 1
๐ฝ๐ด = โ180ยฐ, โ๐ฝ๐ด = 2๐๐ sono consistenti con:
๐ด๐ =๐ด
(1 + ๐ฝ๐ด)Essendo Af , guadagno retro azionato:
se -Ab= 1 Af โ โ x0 anche in assenza di xsโ
Per la realizzazione di un oscillatore si devono verificare teoricamente tali condizioni. Ma nella pratica, di quali considerazione รจ necessario tener conto?
Oscillatori 6Elettronica applicata
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Fase di transitorio iniziale : Condizione di innesco dellโoscillazione
Aumento in ampiezza dellโoscillazione : il valore infinitesimo di rumore si amplifica
allโinterno dellโanello.
FASI di FUNZIONAMENTO
๐ฝ๐ด > 1; 5% โ 6% ๐๐ ๐๐รน (๐๐๐๐ง๐๐๐๐ ๐๐๐ ๐๐ก๐๐ฃ๐)
๐๐ข๐๐๐๐ ๐ก๐๐๐๐๐๐ โ ๐0 ๐๐ ๐๐ ๐๐๐๐๐๐ง๐๐๐๐
Stabilizzazione dellโampiezza, si agisce su A ๐ฝ๐ด = 1 attraverso
Non linearitร dei dispositivi attivi Termistori JFET come resistori controllabili
Fase di REGIME: in questa fase si ha -Ab= 1
Per soddisfare le condizioni di Barkhausen per un unico valore f0 รจ necessaria la presenza di componenti selettivi come capacitร (C) o induttanze (L), nell'anello di reazione
Oscillatori 7Elettronica applicata
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PARAMETRI di QUALITAโ
La qualitร di un oscillatore si definisce in base a:
1. Stabilitร in frequenza2. Stabilitร in ampiezza3. Assenza o ridotta distorsione del segnale generato
Si definiscono dei parametri che tengono conto e โquantificanoโ queste caratteristiche dellโoscillatore.
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PARAMETRI di QUALITAโ
STABILITAโ in FREQUENZALa frequenza d'innesco f0 di un oscillatore coincide con la frequenza per la quale lo sfasamento f lungo l'anello di reazione risulta nullo (2kp).
la stabilitร della frequenza
stabilitร della curva di fase di bA
dip
end
e
che cambiaper
Invecchiamento Temperatura, umiditร Instabilitร tensione
alimentazione Capacitร parassiteโฆ
Oscillatori 9Elettronica applicata
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PARAMETRI di QUALITAโ
PARAMETRO SFSTABILITAโ in FREQUENZA
๐๐น= ๐๐
๐๐/๐0 ๐=๐0
โ โ๐
โ๐/๐0
Stabilitร elevataper alti valori di SF
Nella pratica, ๐๐น si considera come la variazione relativa (%), rispetto al valore nominale :
๐๐น = 100โ๐
๐0
bA
ff0
a
b
a buona stabilitร b scarsa stabilitร
Quando la rete di reazione b รจ molto selettiva, riesce a compensare la variazione di fase con una variazione minima in frequenza, in quanto la variazione di fase ha luogo in maniera rapida attorno alla frequenza di funzionamento f0, come mostrato nella curva a.
Oscillatori 10Elettronica applicata
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STABILITAโ in AMPIEZZA
OSCILLATORI AUTOLIMITANTI: Le limitazioni dellโampiezza dellโoscillazione si ha
naturalmente quando si vanno ad interessare le regioni di funzionamento non lineare
dei dispositivi attivi presenti (regione di saturazione i un BJT o di un FET).
OSCILLATORI CON CIRCUITI LIMITATORI DI AMPIEZZA : In alcuni casi per garantire
๐ฝ๐ด = 1 รจ necessario ricorrere a reti che controllino in modo automatico lโampiezza
dellโoscillazione per stabilizzarla.
Oscillatori 11Elettronica applicata
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PARAMETRI di QUALITAโ
TOTAL HARMONIC DISTORSION THDDISTORSIONE dellโOSCILLAZIONE
๐๐ป๐ท โ 100 ๐ 22 + ๐ 3
2 + ๐ 42 + โฏ
Dove ๐ ๐ =๐๐ ๐
๐1(๐)๐๐๐
๐๐ ๐ ๐๐๐๐๐๐ง๐ง๐ ๐๐๐ ๐ = ๐๐
๐1 ๐ ๐๐๐๐๐๐ง๐ง๐ ๐๐๐ ๐ = ๐0
๐ ๐ก = ๐๐ + ๐1 sin 2๐๐0๐ก + ๐1 + ๐2 sin 4๐๐0๐ก + ๐1 +๐3 sin 6๐๐0๐ก + ๐1 +โฏ
Per il Teorema di Fourier un segnale periodico V(t) puรฒ essere scomposto:
V(t) contiene oltre la componente alla frequenza fondamentale componenti a frequenze 2๐0, 3๐0โฆ
๐0
Qualitร della purezza armonica del segnale elevata
per valori di THD 0
Oscillatori 12Elettronica applicata
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PARAMETRI di QUALITAโ
FATTORE DI MERITO Q
๐ โ 2๐๐๐๐๐๐๐๐ ๐๐๐๐๐๐๐ง๐ง๐๐๐๐ก๐
๐๐๐๐๐๐๐ ๐๐๐ ๐ ๐๐๐๐ก๐ ๐๐๐ ๐๐๐๐๐
Questo parametro tiene conto di quanto sia sotto-smorzato lโoscillatore
Stabilitร in frequenza e in ampiezza elevate per valori elevati di Q
in L e C
in R
๐ =๐0
๐2โ๐1=
๐0
๐ต
Pulsazione di oscillazione
Banda a -3dB intorno a ๐0d
eriv
a
Oscillatori 13Elettronica applicata
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OSCILLATORI per BASSA FREQUENZARange: ~๐๐โ๐Hz - ๐๐๐kHz
OSCILLATORI A SFASAMENTO(Phase Shift Oscillator)
Facile realizzabilitร
Amplificatore invertente: AO-BJT-FET+
Rete b reattiva: 3 celle RC
Sensibilitร alla Temperatura e umiditร (per C)
Ingombro ridotto per assenza di L
Oscillatori 14Elettronica applicata
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OSCILLATORI A SFASAMENTO (Phase Shift Oscillator)con Amplificatore operazionale
+
-V0
Rf
R
RR
C CC
Vf
Vi
Oscillatori 15Elettronica applicata
Ab
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OSCILLATORI A SFASAMENTO con Amplificatore operazionale
Vf
RR
C CC
R
+V0= AvVi
x
x
A
BApplico il Teorema di Thevenin
VABZ2
Z1 Z
+
A
B
Veq
๐๐๐ =๐
๐ + ๐๐ด๐ฃ๐๐ ๐ =
1
๐๐๐ถ
๐ (๐ + ๐)
2๐ + ๐=
๐ ๐๐๐ถ
+ ๐ 2
2๐ +1
๐๐๐ถ
=๐ + ๐๐๐ 2๐ถ
1 + 2๐๐๐ ๐ถZ2=R//(R+Z)=
Con:
Vf
R
Z1 Z
R
+
A
B
Veq
Z
Z1=Z//R =๐ ๐
๐ + ๐=
๐ ๐๐๐ถ
๐ +1
๐๐๐ถ
=๐
1 + ๐๐๐ ๐ถ
๐๐ =๐
๐ + ๐๐๐ด๐ต
Oscillatori 16Elettronica applicata
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OSCILLATORI A SFASAMENTO con Amplificatore operazionale
VAB
Z2
Z1 Z
+
A
B
Veq
๐๐ด๐ต =๐2
๐2 + ๐1 + ๐๐๐๐ ๐๐ =
๐ ๐2
(๐ + ๐)(๐2 + ๐1 + ๐)
๐
๐ + ๐๐ด๐ฃ๐๐
sostituendo
๐๐ =๐
๐ (๐ + ๐ )2๐ + ๐
(๐ + ๐)(๐ (๐ + ๐ )2๐ + ๐
+๐ ๐
๐ + ๐+ ๐)
๐
๐ + ๐๐ด๐ฃ๐๐
๐ด๐ฝ =๐๐
๐๐=
๐ 3
(๐ 3 + 6๐๐ 2 + 5๐2๐ + ๐3)๐ด๐ฃ =
1
1 + 6๐๐
+ 5๐๐
2
+๐๐
3 ๐ด๐ฃ
Individuando il guadagno dโanello, si ha:
Oscillatori 17Elettronica applicata
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OSCILLATORI A SFASAMENTO con Amplificatore operazionale
๐ด๐ฝ =๐๐
๐๐=
1
1 + 6๐๐
+ 5๐๐
2
+๐๐
3 ๐ด๐ฃ
Ab reale
Parte immaginaria nulla
6๐
๐ +
๐
๐
3
= 0๐
๐
2
= โ6
๐0 =1
๐ ๐ถ 6โ ๐0 =
1
2๐๐ ๐ถ 6
๐ =1
๐๐๐ถ
Frequenza di oscillazione
๐ฝ๐ด๐ฃ(๐0) = 1
Per generare lโoscillazione devono essere soddisfatte le due condizioni di Barkhausen
FASE : ๐ด๐ฃ๐ฝ = 0, 2๐๐ AMPIEZZA :
๐ฝ๐ด ๐0 =1
1 + 5 โ6๐ด = โ
1
29๐ด = 1
โ ๐ด๐ฃ = โ29
Amplificatore invertente con ๐ด๐ฃ = 29
๐ด๐ฃ =๐ ๐
๐ = 29
Oscillatori 18Elettronica applicata
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OSCILLATORI A SFASAMENTO con Amplificatore operazionale
INNESCO e STABILIZZAZIONE dellโ AMPIEZZA
I diodi consentono di variare il guadagno ๐ด๐ฃ in modo da: Favorire lโinnesco dellโoscillazione
Dz1 e Dz2 OFF ๐๐ข๐๐๐๐
๐ด๐ฃ = โ๐ 2
๐
Stabilizzare lโampiezza dellโoscillazione
๐ฝ๐ด๐ฃ < 1
V0>0 | Dz1 ON e Dz2 in zona ZENER ๐๐ข๐๐๐๐
๐ด๐ฃ = โR3//R2
๐
le resistenze saranno dimensionate in modo che: ๐ด๐ฃ < 29
๐ฝ๐ด๐ฃ > 1๐๐ข๐๐๐๐
๐ด๐ฃ > 29
Altre soluzioni DIODI ANTIPARALLELO TERMISTORI NON LINEARITAโ dellโAmplificatote
Oscillatori 19Elettronica applicata
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Altri OSCILLATORI A Basse Frequenzecon Amplificatore operazionale
+
-V0
R2
R1
R
CR
+
-
C1
R1
C
R
+
-V0cos
R1
C1
V0sen
Oscillatore a Ponte di Wien Oscillatore in quadratura
โข un integratore invertente che introduce uno sfasamento di +90ยฐ
โข un integratore non invertente che introduce uno sfasamento di -90ยฐ
๐ด๐ฝ = 0, 2๐๐๐0 =1
2๐๐ ๐ถ
๐0 =1
2๐ ๐ ๐ถ๐ 1๐ถ1
Oscillatori 20Elettronica applicata
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Stadio di amplificazione: FET, BJT
3 PUNTI:
1.Ingresso amplificatore
2. Uscita amplificatore
3. Massa
Buona purezza spettrale
Stabilitร in temperatura
Stabilitร in frequenza
OSCILLATORI A 3 PUNTI
Vi
Vโout
Vf =V13
OSCILLATORI per ALTA FREQUENZARange: ~๐๐ kHz - ๐๐๐MHz
Oscillatori 21Elettronica applicata
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OSCILLATORI A 3 PUNTI
Rout: resistenza di uscita amplificatore
Av : guadagno dellโamplificatore a catena aperta
ZL= Z2//(Z1 + Z3)=(๐1 + ๐3)๐2
๐1 + ๐2 + ๐3
bA= ๐๐
๐๐=
๐๐
๐๐๐ข๐ก
๐๐๐ข๐ก
๐๐
๐ฝ =๐๐
๐๐๐ข๐ก=
๐1
๐1 + ๐3
AvVi
๐ด =๐๐๐ข๐ก
๐๐= โAv
๐๐ฟ
๐๐ฟ + ๐ ๐๐ข๐ก
Vout
๐ฝ๐ด = โAv
๐๐ฟ
๐๐ฟ + ๐ ๐๐ข๐ก
๐1
๐1 + ๐3=
โAv๐1๐2
๐ ๐๐ข๐ก(๐1 + ๐2 + ๐3) + ๐2(๐1 + ๐3)
Oscillatori 22Elettronica applicata
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OSCILLATORI A 3 PUNTI
๐ฝ๐ด = โAvVi
๐๐ฟ
๐๐ฟ + ๐ ๐๐ข๐ก
๐1
๐1 + ๐3=
โAv๐1๐2
๐ ๐๐ข๐ก(๐1 + ๐2 + ๐3) + ๐2(๐1 + ๐3)AvVi
๐1 = ๐๐1 ๐2 = ๐๐2 ๐3 = ๐๐3 Puramente reattive
๐ฝ๐ด =Av๐1๐2
๐๐ ๐๐ข๐ก(๐1 + ๐2 + ๐3) โ ๐2(๐1 + ๐3)
๐1+๐2 + ๐3=0Condizioni di Barkhausen
FASE : ๐ด๐ฝ = 0, 2๐๐
Condizioni di Barkhausen
๐ฝ๐ด(๐0) = 1AMPIEZZA:
Elementi reattivi | X1 e X2 stesso tipo, X3 diversa
๐ฝ๐ด =Av๐1
โ(๐1+๐3)=Av๐1
๐2= 1
๐ด๐ฃ =๐2
๐1
DUE TIPI di CONFIGURAZIONE della rete reattiva:o X1 e X2 Capacitร e X3 induttanza :
Colpittso X1 e X2 induttanze e X3 capacitร :
Hartley
Oscillatori 23Elettronica applicata
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OSCILLATORI A 3 PUNTIOscillatore Hartley
+Vcc
v0
C
L1
L2
CE
C1
RE
R2
R1
C
1
3
2
1
3
2
1
3
2
Configurazioni base
Esempio con BJT
BJTJFET
Circuito dinamicoRB
L1 L2
RB= R1 // R2
C1: capacitร di blocco della continua
R1, R2: rete di polarizzazione
L2
L1
CC
L2
L1
๐๐ฟ1 + ๐๐ฟ2 โ1
๐๐ถ= 0
๐ โก ๐0 =1
(๐ฟ1+๐ฟ2)๐ถ๐0 =
1
2๐ (๐ฟ1+๐ฟ2)๐ถ
๐ด๐ฃ =๐0๐ฟ2
๐0๐ฟ1=
๐ฟ2
๐ฟ1
Oscillatori 24Elettronica applicata
Elettronica Applicata
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OSCILLATORI A 3 PUNTIOscillatore Colpitts
Configurazioni base
BJTJFET-
1
๐๐ถ1โ
1
๐๐ถ2+ ๐๐ฟ = 0
๐ โก ๐0 =1
๐ฟ๐ถ๐0 =
1
2๐ ๐ฟ๐ถ
๐ด๐ฃ =โ1/๐0๐ถ2
โ1/๐0๐ถ1=
๐ถ1
๐ถ2
1
3
2
L
C1
C21
3
2
C1
C2
L๐ถ =
๐ถ1๐ถ2
๐ถ1 + ๐ถ2
con
+VDD
v0
C2
CS
CG
Rs
RG
v0
C2
RGC1
L L
C1
Circuito dinamico1
3
2
Esempio con JFET
Choke :bobina ad alta
impedenza; c.a. @ f=f0
CG capacitร di blocco
della continua; c.c @ f=f0
CS c.c @ f=f0
choke
Oscillatori 25Elettronica applicata
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OSCILLATORI A 3 PUNTIConsiderazioni
La Stabilitร in ampiezza รจ garantita dalla caratteristica non lineare IC-VBE e ID-VGS. Infatti quando lโampiezza dellโoscillazione tende ad aumentare, il guadagno del transistor scende al di sotto di quello di piccolo segnale
IC
VBE
gm
guadagno d piccolo segnale
Q
Transcaratteristica BJTโข La rete LC svolge la funzione di filtro accordato alla
frequenza di oscillazione f0 :
โข Filtra eliminando la distorsione di non
linearitร dovuta alla transcaratteristica dei
transistor che controllano lโampiezza
dellโoscillazione.
Quando si progetta.. Tenere conto della banda passante del
dispositivo attivo : fT >> f0
Tenere conto dei parametri parassiti dei componenti passivi
Accoppiamenti parassiti
Oscillatori 26Elettronica applicata
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OSCILLATORI A 3 PUNTIStabilitร in frequenza: considerazioni
Come giร detto, negli oscillatori impieganti semiconduttori, allโinstabilitร della frequenza di oscillazione contribuiscono le variazioni:โข dei parametri caratteristici dei dispositivi attiviโข delle capacita parassite dei transistor, causate dalla variazione di temperatura,โข della tensione di alimentazione,โข dei componenti passivi (resistori, condensatori, induttanze).Anche lโ invecchiamento dei componenti, contribuisce inoltre allโinstabilitร di frequenza.
Le variazioni della frequenza di oscillazione dipendono sia dalla rete di retroazione, sia dai dispositivi attivi di A.
A = a(T)
A
b
-b = 2p -a(T)
Ab = 2p
Lโoscillatore oscillerร alla frequenza f0 per cui l'argomento di b (f0 ) compensa lo sfasamento introdotto dal blocco attivo A.Poichรฉ a(T) dipende dalla temperatura, anche la compensazione dipenderร da essa e quindi varierร .
Instabilitร della f0Oscillatori 27Elettronica applicata
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OSCILLATORI A 3 PUNTIStabilitร in frequenza: soluzioni con Quarzo
A = a(T)
A
b
-b = 2p -a(T)
Ab = 2p
SOLUZIONE: rete di retroazione bmolto selettiva, con elevato SF eQ
Quarzo (SiO2) Caratteristiche risonanti molto
stabile in temperatura e nel tempo
Il Quarzo รจ un cristallo piezoelettrico, cioรจ in grado di deformarsi meccanicamente quando รจ sottoposto ad una tensione elettrica costante e, viceversa, di generare una differenza di potenziale quando รจ sottoposto ad uno sforzo meccanico. Eliminando la tensione applicata, la deformazione scompare passando attraverso una serie di stati intermedi secondo un regime oscillatorio smorzato, la cui frequenza รจ legata alle caratteristiche geometriche (taglio, spessore..) e meccaniche del cristallo e ne rappresenta la frequenza naturale di vibrazione
Oscillatori 28Elettronica applicata
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OSCILLATORE A QUARZONelle applicazioni elettroniche, tuttavia, non si possono usare i cristalli di quarzo cosรฌ come risultano cristallizzati innatura, infatti, quelli dei quali facciamo normale utilizzo sono stati tagliati in pezzi o lamine di diversa forma edimensione, per conferire loro determinate proprietร . La lamina di quarzo puรฒ essere di forma circolare orettangolare e presenta sulle due facce rivestimenti metallici uniti elettricamente ai terminali di collegamentomediante due elettrodi.
l/2metallizzazioni
SiO2
Simboli circuitali
l: lunghezza dโonda a cui risuona la piastrina di quarzo
- Q
+Q
dilatazione
- Q
+Q
compressione
Effetto Piezoelettrico
Q : carica
Processo reversibile : applicando una d.d.p. tra le metallizzazioniil cristallo si deforma tornando alla posizione iniziale oscillando allasua frequenza naturale.
Oscillatori 29Elettronica applicata
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OSCILLATORE A QUARZO
l/2metallizzazioni
SiO2
l: lunghezza dโonda a cui risuona la piastrina di quarzo
Se la piastrina di quarzo รจ sottoposta ad una tensione alternata uguale a quella naturale, vengono prodotte vibrazioni alla medesima frequenza ma esaltate.
Circuito elettrico equivalente di Mason
C
CโL
R
Cโ: Capacitร elettrostatica tra i due elettrodi ( 1รท10 pF)R: associata alle perdite per attrito viscoso del cristallo L: associata al fattore di massa del cristallo, inerzia della piastrina (1 รท102 H)C: associato al fattore di cedevolezza ,inverso della costante elastica, (1รท10 fF)
Ramo equivalente della risonanza meccanica
Oscillatori 30Elettronica applicata
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OSCILLATORE A QUARZO
C
CโL
R
๐๐๐ =
1๐๐๐ถโฒ
๐ + ๐๐๐ฟ + 1
๐๐๐ถ
1๐๐๐ถโฒ
+ ๐ + ๐๐๐ฟ +1
๐๐๐ถ
=1 โ ๐2๐ฟ๐ถ + ๐๐๐
๐๐ ๐ถ + ๐ถโฒ โ ๐2๐ฟ๐ถ๐ถโฒ โ ๐ ๐ถ
Calcolo dellโimpedenza equivalente in frequenza
Trascuriamo R, essendo Q molto elevato
=๐ฟ๐ถ(
1๐ฟ๐ถ
โ ๐2)
๐๐๐ฟ๐ถ๐ถโฒ ๐ถ + ๐ถโฒ
๐ฟ๐ถ๐ถโฒโ ๐2
=๐2 โ
1๐ฟ๐ถ
๐๐๐ถโฒ ๐2 โ๐ถ + ๐ถโฒ
๐ฟ๐ถ๐ถโฒ
Sia: ๐๐บ =๐
๐ณ๐ช๐ ๐๐ท =
๐
๐ณ
(๐ช+๐ชโฒ)
๐ช๐ชโฒ๐๐๐ =
1
๐๐๐ถโฒ
๐2 โ ๐๐2
๐2 โ ๐๐2
๐ถโฒ โซ ๐ถ๐ ๐ โ๐
๐๐บ โ ๐๐ท
Oscillatori 31Elettronica applicata
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OSCILLATORE A QUARZORappresentazione Grafica dellโImpedenza equivalente
Il circuito ha quindi due pulsazioni (frequenze) di risonanza: serie (๐๐บ) e parallelo (๐๐ท), tra loro molto vicine (da centinaia di Hz a qualche kHz).
๐ =๐0
๐๐โ๐๐= 103 รท 106
con ๐0 =๐๐+๐๐
2
๐๐๐ โ ๐
๐๐๐๐๐
C CL
Area di lavoro del QUARZO
Q elevato
Frequenza a cui viene fatto lavorare il quarzo, inserito in un oscillatore
Nellโarea di lavoro induttiva, il quarzo รจ in grado di correggere anche rilevanti errori di fase, causati ad
esempio da variazioni dei parametri dell'amplificatore, con minimi scostamenti della frequenza di oscillazione.
Oscillatori 32Elettronica applicata
Elettronica Applicata
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OSCILLATORE A QUARZO
Modi di oscillazione
Modo fondamentale:dipende dalle dimensoni fisiche del cristallo
limite superiore: 20 o 30 MHz.
Per frequenze superiori si deve operare nel cosiddetto modo โovertone โ
โข Modo overtone:
il cristallo oscilla a frequenze multiple (armoniche) della fondamentale (usualmente
multipli dispari, ad esempio: 3,5,7,โฆ)
(d= l/2 โ 10โ1๐๐)
fino a centinaia di MHzopportunamente eccitati dal circuito esterno
Oscillatori 33Elettronica applicata
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OSCILLATORE QUARZATO
Oscillatori 34Elettronica applicata
X1+ X2+ X3=0
Sappiamo che :
Dal grafico si deduce che per piccole variazioni di frequenza si hanno grosse variazioni di impedenza e quindi elevato SF
โ๐2 + โ๐3 =-โ๐1
X2+ X3=- X1
X1 : reattanza del Quarzo
๐๐น =โ๐
โ๐=
โ๐1
โ๐โ๐ =
โ๐1
๐๐นPiccole variazioni della frequenza di oscillazione
Un oscillatore con inserito un quarzo al posto di una induttanza รจ definito Oscillatore Quarzato. La loro frequenza di oscillazione ( f0 ) รจ imposta dal quarzo.
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
OSCILLATORE QUARZATOUn oscillatore con inserito un quarzo al posto di una induttanza รจ definito Oscillatore Quarzato. La loro frequenza di oscillazione ( f0 ) รจ imposta dal quarzo.
Colpitts con QuarzoOscillatore di Pierce Hartley con QuarzoOscillatore di Miller
Circuito risonante parallelo( per f= ๐๐ท ), comportamento
induttivo a f=f0
+Vcc
v0
Lb
CS
Ca
RS
R2
R1
C2C1X1 X2
X3
+VDD
v0
C2
CS
CGD
Rs
RG
choke
CDLD
X1
X3
X2
๐๐ท > ๐0
Oscillatori 35Elettronica applicata
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
RICHIAMI
Oscillatori 36Elettronica applicata
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
RICHIAMI
Oscillatori 37Elettronica applicata
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
RICHIAMI
Oscillatori 38Elettronica applicata
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
RICHIAMI
Oscillatori 39Elettronica applicata
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
RICHIAMI
๐ =๐0
๐2โ๐1=
๐0
๐ต
Oscillatori 40Elettronica applicata
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
RICHIAMI
Oscillatori 41Elettronica applicata
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
RICHIAMI
Oscillatori 42Elettronica applicata
Elettronica Applicata
a.a. 2017/2018
RICHIAMI
๐ =๐0
๐2โ๐1=
๐0
๐ต
Anche in questo caso:
Oscillatori 43Elettronica applicata
FINE
Oscillatori 44Elettronica applicata