Universita degli studi di Padova
Dipartimento di Ingegneria
Tesi di Laurea Triennale in
INGEGNERIA DELL’INFORMAZIONE
Elettronica organica:
funzionamento e applicazioni
Relatore Candidato
Prof. Gaudenzio Meneghesso Fabio Boscolo
Correlatore
Prof. Andrea Cester
Anno Accademico 2012/2013
Indice
1 Introduzione alla chimica organica 7
1.1 Il carbonio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2 Semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.3 Mobilita nei semiconduttori organici . . . . . . . . . . . . . . 11
1.3.1 Multiple Traps and Release model MTR . . . . . . . . 12
1.3.2 Hopping model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.3.3 Variable Range Hopping model VHR . . . . . . . . . . 15
1.4 Principali tipi di trappole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2 Realizzazione di semiconduttori organici 17
2.1 OVPD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.1.1 Sublimazione e raccoglimento . . . . . . . . . . . . . . 19
2.1.2 Trasporto e miscelazione . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.1.3 Deposizione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.2 Inkjet printing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.1 Stampa a getto d’inchiostro continuo . . . . . . . . . . 26
2.2.2 Stampa a getto d’inchiostro Drop-On-Demand DOD . 27
3 Transistor organici 31
3.1 Struttura del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.2 Funzionamento del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.2.1 Resistenza di contatto e mobilita . . . . . . . . . . . . 34
3.2.2 Modello analitico della RC . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.2.3 Transfer Line Method TLM . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2.4 Dipendenza della mobilita dalla VG . . . . . . . . . . . 41
3
4 Applicazioni 43
4.0.5 E-textiles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.0.6 E-Skin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.0.7 Tatuaggi elettronici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.0.8 ORFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Introduzione
Lo sviluppo dell’elettronica e la reale possibilita di sfruttare le sue potenzia-
lita e strettamente legata a due caratteristiche fondamentali, ovvero: l’ap-
plicabilita della tecnologia a determinati scopi e l’accessibilita economica dei
dispositivi realizzati. Questi due aspetti non sempre vengono soddisfatti in
quanto l’elettronica basata su semiconduttori inorganici come il silicio presen-
ta alcuni limiti. Per questo motivo negli ultimi decenni l’elettronica organica
sta riscontrando un crescente successo.
Un dispositivo elettronico viene definito organico nel momento in cui il
suo funzionamento dipende da materiali semiconduttori organici, vale a di-
re polimeri conduttori o piccole molecole che hanno come elemento base il
carbonio.
La diversita dei materiali organici utilizzabili e la possibilita di produrli
con tecniche diverse fa in modo che si possano ottenere dispositivi di vario ge-
nere che pero devono essere studiati con modelli appropriati. Questo aspetto
se da un lato risulta positivo in termini di versatilita, dall’altro ne complica
lo studio.
Lo scopo di questo elaborato e dare una panoramica generale degli aspetti
fondamentali che differenziano l’elettronica organica da quella inorganica,
partendo dal principio di funzionamento e dalle tecnologie implementative,
arrivando alle possibili applicazioni.
5
Capitolo 1
Introduzione alla chimica
organica
1.1 Il carbonio
L’atomo di carbonio presenta una configurazione elettronica 1s2 2s2 2p2, con
quattro elettroni in orbitali di valenza che possono dar luogo ad altrettanti
legami. Al fine di raggiungere la configurazione piu stabile possibile, esso
ha la facolta di ibridare gli orbitali 2s e 2p ottenendo, a seconda dei casi,
degli orbitali sp3, sp2 ed sp. Il caso di maggior interesse, che descriviamo nel
seguito, e l’ibridazione sp2.
Figura 1.1: Rappresentazione degli orbitali piu esterni dell’atomo di carbonionei casi di ibridazione sp1, sp2 e sp3. In giallo sono indicati gli orbitali puried in viola quelli ibridi.
Come si puo osservare dalla Figura 1.1 l’atomo assume una forma in cui i tre
7
lobi sp2, formati in seguito all’ibridazione, si trovano in un piano ortogonale
all’asse dell’orbitale pz non ibridato. Questa struttura permette la formazione
di un reticolo tra atomi di carbonio le cui caratteristiche verranno spiegate
in seguito. Gli orbitali ibridati formano legami di tipo σ in quanto l’asse
di simmetria e sovrapposto a quello internucleare. Questo tipo di legame,
essendo molto forte, crea una zona ad alta densita elettronica lungo il piano
della molecola. Al contrario gli orbitali pz formano un legame covalente di
tipo π che, essendo molto piu debole, fa in modo che si crei una regione a
bassa densita elettronica sopra e sotto il piano della molecola, come si puo
vedere in figura 1.2. Questo tipo di legame viene detto legame coniugato
ed e comune a tutte le molecole che formano i dispositivi organici in quanto
conferisce loro proprieta di semiconduttori.
Figura 1.2: Legame coniugato: in blu il piano formato dai legami σ. In rossovengono evidenziati gli orbitali p che danno luogo ad un legame π. In giallo,a destra, viene evidenziata la zona a bassa densita elettronica.
A differenza dei legami forti, che si instaurano tra atomi per formare la
molecola, quelli che legano tra loro le varie molecole sono molto deboli. Essi
consistono sostanzialmente nelle forze di Van Der Waals, grazie alle quali
il materiale risultante possiede proprieta elastiche, come e rappresentato in
figura 1.3.
1.2 Semiconduttori
Inizialmente i semiconduttori furono definiti come tutti quei solidi non me-
tallici che hanno una conducibilita elettrica intermedia tra i conduttori e gli
isolanti. Questa definizione, tuttavia, non chiarisce molti comportamenti che
Figura 1.3: Rappresentazione grafica delle forze di Van Der Waals cheagiscono tra le varie molecole.
assumono i semiconduttori rispetto ai conduttori, tra i quali l’aumento della
conducibilita all’aumentare della temperatura. Per ovviare a questa mancan-
za, con l’avvento della meccanica quantistica venne introdotto il modello a
bande per la conduzione, e i semiconduttori vennero definiti come: materiali
isolanti a basse temperature, che tuttavia presentano un notevole incremen-
to della conducibilita con l’aumentare della temperatura. Di conseguenza i
semiconduttori sono isolanti aventi una piccola distanza tra banda di valen-
za e banda di conduzione, la quale a temperatura ambiente viene in parte
raggiunta da portatori di carica presenti nella banda di valenza. Questo mo-
dello presuppone che gli elettroni all’interno del semiconduttore godano di
un elevato grado di liberta, in particolare si possano muovere all’interno del
reticolo in ogni direzione. Come si vedra in seguito questo modello non potra
rappresentare al meglio i semiconduttori organici.
Conduzione della corrente
Com’e stato accennato in precedenza, cio che permette la conduzione di cor-
rente all’interno dei semiconduttori organici e la presenza del legame coniu-
gato. La presenza di legami π sopra e sotto il piano molecolare permette di
accedere con piu facilita agli elettroni presenti in tali zone a bassa densita
elettronica. Cio vuol dire che fornendo agli atomi di carbonio un’energia
maggiore o uguale all’energia di ionizzazione, e possibile strappargli un elet-
trone e provocare un moto di cariche. Ovviamente questo moto di cariche
si traduce in una corrente elettrica nel momento in cui viene applicato un
campo elettrico, che le impone una determinata direzione e verso.
E importate osservare pero che a differenza dei semiconduttori inorganici,
i portatori di carica non possiedono tre gradi di liberta. Essi sono vincolati
in primo luogo dalla struttura della molecola e poi anche dalla struttura del-
la catena di molecole che costituiscono il semiconduttore organico. Questo
fattore e determinante nello studio delle caratteristiche di questi materiali in
quanto inevitabilmente presenteranno delle malformazioni. Queste imperfe-
zioni, che verranno elencate in seguito, prendono il nome di trappole. Infatti
esse si comportano come degli ostacoli per i portatori di carica e in questo
modo alcuni percorsi all’interno del semiconduttore saranno bloccati, vale a
dire che anche se i portatori di carica possiedono un’energia che in generale
gli permette di saltare da un atomo all’altro, si trovano imprigionati.
Da queste considerazioni e chiaro che non sarebbe opportuno trattare allo
stesso modo semiconduttori organici e inorganici. Quello che viene fatto e
associare agli orbitali piu esterni che vanno a formare i legami π attraver-
so la condivisione dei loro elettroni, uno stato: Highest Occupied Molecular
Orbitals, mentre vengono denominati Lowest Unoccupied Molecular Orbital
LUMO gli orbitali π di antilegame che rappresentano il primo livello energe-
tico non occupato da elettroni. Al fine di ricondursi al modello a bande usato
nei semiconduttori inorganici viene associato allo stato HOMO la funzione
di banda di valenza mentre allo stato LUMO quello di banda conduzione.
Come e stato spiegato il semiconduttore organico e caratterizzato al suo
interno da numerosi percorsi dettati dalla struttura della catena di moleco-
le. Ad ogni percorso e possibile associare una certa energia determinata da
diversi fattori interni ed esterni, quello che e interessante notare e che se si
rappresenta graficamente la distribuzione dell’energia di questi percorsi (vedi
figura 1.4) si nota che si vengono a formare due livelli ben distinti come se
fossero delle bande. Come e stato appena spiegato, non essendo propriamen-
te delle bande gli vengono assegnati i nomi di stati. In conclusione si puo
affermare che il modello a bande usato per i semiconduttori inorganici vale
per quelli organici solo a livello statistico.
Figura 1.4: a) Rappresenta i vari percorsi che le cariche possono effettuareall’interno del reticolo che talvolta sono interrotti. b) Grafico che rappresentala funzione di densita di probabilita per l’energia associata ai vari percorsi.
1.3 Mobilita nei semiconduttori organici
I semiconduttori organici potendo essere costituiti da diversi tipi di molecole
di diversa grandezza e forma, presentano alcune caratteristiche comuni tra
loro ed altre inevitabilmente diverse. Uno dei parametri fondamentali e la
mobilita, in particolare come essa puo variare. Di seguito vengono proposti
alcuni modelli che, in base alle varie applicazioni, sono piu o meno adatti a
prevedere il comportamento del semiconduttore organico.
1.3.1 Multiple Traps and Release model MTR
Il modello MTR utile per materiali amorfi dove i portatori di carica sono
omogeneamente distribuiti, distingue in due classi i vari tipi di trappole.
Tutte le trappole che possiedo un’energia superiore di kBT , come si vede dalla
figura 1.5, vengono considerate inaccessibili, cioe le cariche che vi si trovano
non possono essere rilasciate attraverso eccitazione termica. Al contrario le
trappole con energia intermedia tra quel valore e lo stato HOMO possono
essere liberate.
Figura 1.5: Rappresentazione dell’energia delle trappole confrontata conl’energia degli stati LUMO e HOMO.
Nel modello si assume che tutte le cariche gia presenti nel materiale o even-
tualmente quelle iniettate si trovino con probabilita circa uguale a uno in
qualche trappola e che vengano successivamente rilasciate attraverso l’ec-
citazione termica. In questo modo la mobilita viene espressa attraverso
l’equazione:
µD = µ0α exp
[− ETkBT
](1.1)
Dove µ0 e la mobilita di bordo banda, α e il rapporto tra la densita
effettiva degli stati di trasporto e la densita delle trappole, ET l’energia degli
stati trappola. E stato inoltre dimostrato che il trasporto di carica dipende
dall’energia degli stati trappola, dalla temperatura e dalla tensione elettrica
eventualmente applicata.
1.3.2 Hopping model
Lo hopping model fa riferimento a dei semiconduttori organici dove il flusso
di cariche e ostacolato dalle vibrazioni del reticolo e dalle sue malformazioni
chimiche e fisiche. Per tener conto di questi aspetti viene usato il modello
Polaron, ovvero un modello che fornisce il valore dell’energia necessaria ad
un elettrone per spostarsi tra due livelli energetici. Questo si traduce nella
somma dell’energia elastica ed elettrostatica che deve possedere un elettrone
per spostarsi da uno stato i ad uno stato j:
νi→j ∝1√ErT
exp
[−(Ej − Ei + Er)
2
4ErkT
](1.2)
dove Er rappresenta l’energia di riorganizzazione intramolecolare.
In questo modello i due parametri principali sono l’hopping rate tra i vari
stati e la densita di tali stati (DOS). Per quanto riguarda il primo parametro
esistono due espressioni valide in contesti diversi, entrambe ricavate mediante
il metodo Monte Carlo. La prima, di Miller- Abrahms, originariamente usata
per semiconduttori inorganici dopati, e valida solo a basse temperature e in
condizioni di minima vibrazione del reticolo. Si esprime tramite:
κij = ν exp (−2γRij)
{exp
(−εj − εi
kBT
)εj > εi
1 εj < εi
(1.3)
dove ν rappresenta il tentativo di hopping frequency, Rij la separazione tra i
siti i e j, γ e il fattore di sovrapposizione, εi e εj e l’energia dei siti i e j.
La seconda, di Marcus, valida al contrario della precedente in situazioni
di alte temperature e vibrazioni del reticolo si esprime mediante
κij =t2
h
[π
kBTλreorg
]1/2
exp
[−(λreorg + εi − εj)2
4λreorgkBT
](1.4)
Per quanto riguarda il secondo parametro ad ogni percorso all’interno del
reticolo e associata una certa energia (la quale va a definire gli stati LUMO
e HOMO). Tenendo presente che i portatori di carica si spostano a salti da
un sito ad un altro all’interno del reticolo, l’energia che possiedono questi
siti dipende dall’energia degli stati a cui appartengono. In questo modello la
distribuzione dell’energia ε segue un andamento gaussiano:
Q(ε) =1√
2πσ2exp− ε2
2σ2(1.5)
Dipendenza dalla temperatura e da un campo elettrico esterno
nello hopping model
Prendendo in considerazione quanto appena detto e possibile constatare spe-
rimentalmente che: in assenza di campi elettrici esterni la mobilita dipende
dalla temperatura secondo l’equazione:
µ(T ) = µ0 exp
[−(
2σ
3kBT
)2]
= µ0 exp
[−(T0
T
)2]
(1.6)
dove σ rappresenta il parametro che tiene conto del disordine energetico in-
terno. Come si puo vedere dall’equazione all’aumentare della temperatura
aumenta anche la mobilita, questo perche un aumento di temperatura corri-
sponde ad un aumento dell’energia interna che facilita ai portatori di carica
il superamento degli ostacoli dovuti al disordine del reticolo.
Piu complicata e invece la trattazione della dipendenza della mobilita da
un campo elettrico esterno. Infatti, mentre per la dipendenza dalla tempera-
tura si teneva conto solo del disordine energetico, l’applicazione di un campo
elettrico esterno puo avere riscontri positivi e negativi. Esso puo facilitare
l’estrazione dei portatori di carica dagli atomi, ma avendo una ben deter-
minata direzione e verso li costringe a seguire dei percorsi obbligati che non
sempre sono ottimali. Come conclusione, il modello sperimentale si traduce
nella seguente equazione:
µ(σ,Σ, F ) = µ0 exp
[−(
2
3σ
)2]{
exp[C(σ2 − Σ2)F 1/2
]Σ > 1.5
exp[C(σ2 − 2.25)F 1/2
]Σ < 1.5
(1.7)
dove Σ tiene conto del disordine geometrico del reticolo.
Una cosa da non sottovalutare nell’utilizzo di questo modello e che non viene
tenuto conto della densita di portatori di carica all’interno del materiale, la
quale e sperimentalmente provato influisce sulla mobilita in modo considere-
vole. Basti pensare che se c’e un’alta concentrazione di portatori di carica la
maggior parte delle trappole sono gia riempite permettendo alle altre di non
risentire della presenza.
1.3.3 Variable Range Hopping model VHR
Un’estensione del modello Hopping e rappresentato da VHR model (Variable
Range Hopping). Quest’ultimo vuole modellizzare il caso in cui si abbia a
che fare con semiconduttori organici amorfi, dove i portatori di carica sono
fortemente localizzati. Il modello trova fondamento nella teoria sviluppata
da Vissenberg and Matters nel 1998, dove si dice che una carica puo com-
piere un salto tanto piu grande quanto e minore la sua energia di attivazione
(Variable Range Hopping). Applicando un campo elettrico esterno al semi-
conduttore, si ottiene in alcune regioni un incremento di portatori di carica
i quali andranno a riempire man mano tutti gli stati energetici. In questo
modo le cariche che si trovano ad un’energia piu elevata richiedono in media
minor energia di attivazione per spostarsi da un sito ad un altro. Tenendo
in considerazione il percolation crioterion nel caso in cui vi sia applicato un
campo elettrico esterno:
Bc =NB
Ns
' πNtT30
(2α)3 T 2F (2TF − T )
exp
(EF +KBTF sc
kBT0
)(1.8)
dove: Bc rappresenta un parametro che tiene conto di quanti legami sono pre-
senti in un sito, NB e Ns la densita dei legami e la densita dei siti. Da questa
equazione si puo ricavare quella della mobilita in funzione della temperatura,
del campo elettrico e della densita di carica:
µ =σ0
e
T 40 sin
(π TT0
)Bc (2α)3 T 2
F (2TF − T )T
(1.9)
Questo modello e molto utile in quanto sintetizza in un unica equazione la
dipendenza della mobilita dai tre parametri principali. Cio che sara utile in
seguito sara la mobilita nel caso in cui si stia studiando un transistor:
µFE =σ0
e
(π(T0T
)3
(2α)3BcΓ(1− T0
T
)Γ(1 + T0
T
)) (1.10)
1.4 Principali tipi di trappole
I difetti di natura fisica o chimica che si possono trovare all’interno delle ca-
tene possono essere localizzati in un singolo punto o estendersi per esempio
lungo la sovrapposizione di due catene o nelle zone di confine. Generalmente
il risultato si traduce in una diminuzione dell’energia disponibile nei dintorni
del difetto. Se l’impurita si trova all’interno del reticolo, essa puo fungere
da trappola di lacune nel caso in cui possieda minore energia di ionizzazio-
ne, mentre se possiede una piu elevata affinita elettronica tendera a com-
portarsi come una trappola per elettroni. Di conseguenza l’effetto negativo
dell’impurita dipende da quali sono i portatori maggioritari.
Gli atomi di carbonio non ibridati sp2 sono da considerare allo stesso
modo. Se le impurita si trova tra due molecole, anche se quest’ultima non
presenta le caratteristiche descritte prima, contribuisce lo stesso a diminuire
la densita molecolare e quindi aumentare l’energia di polarizzazione (seppur
la molecola o l’atomo che costituisce l’impurita e molto piu piccola di quelle
che ha intorno a se).
Anche deformazioni del reticolo possono contribuire negativamente, per
esempio compressioni possono comportare un aumento dell’energia di po-
larizzazione e quindi di fatto costituire delle trappole per le cariche. Gli
allungamenti del reticolo hanno come effetto quello di diminuire l’energia
di polarizzazione, essi permettono la creazione di zone vuote all’interno del
reticolo che influiscono negativamente sul passaggio degli elettroni. Il para-
metro che tiene conto di questi aspetti negativi e la mobilita. Ovviamente le
impurita o le deformazioni del reticolo contribuiranno a diminuirlo.
Capitolo 2
Realizzazione di semiconduttori
organici
Negli ultimi decenni si sono susseguite numerose tecnologie atte alla realizza-
zione di dispositivi elettronici organici. Cio che spinge il continuo migliora-
mento di queste tecniche e la possibilita di produrre a basso costo dispositivi
elettronici con un ragionevole investimento iniziale. Si possono distinguere
due principali tecniche di deposizione del materiale organico: senza contatto
o con contatto. Nel primo caso il materiale organico entra in contatto so-
lamente con il supporto su cui e depositato, mentre nel secondo anche con
altre parti meccaniche della strumentazione. In seguito verranno trattati
unicamente due casi di deposizione senza contatto. Il vantaggio di questa
tecnologia sussiste soprattutto nel fatto che viene abbassato il rischio di dan-
neggiamento e contaminazione del prodotto e permette di creare diversi strati
di materiale con maggiore precisione di sovrapposizione.
2.1 OVPD
Ad oggi, una delle principali tecnologie per la realizzazione di semicondutto-
ri organici e la Organic Vapor Phase Deposition OVPD. Questa tecnologia
e destinata a soppiantare la precedente VTE in quanto presenta numerosi
aspetti positivi che verranno descritti in seguito.
17
In linea di principio il processo per ottenere il semiconduttore organico e
diviso in tre fasi:
� Sublimazione e raccoglimento
� Trasporto e miscelazione
� Deposizione
Figura 2.1: Sezione di una macchina che attua la tecnologia OVPD.
La prima fase avviene in celle separate contenenti materiali organici diversi
che in seguito formeranno il semiconduttore. La seconda consiste nel tra-
sporto e miscelazione dei vari materiali organici tramite un gas inerte. Il
trasporto avviene dalle celle attraverso quella che viene definita la camera
di deposizione fino ad un supporto sopra il quale avviene la deposizione. In
figura 2.1 e rappresentata la fotografia in sezione di una macchina OVPD e
sotto in figura 2.2 il suo principio di funzionamento.
Figura 2.2: Principio di funzionamento di OVPD.
2.1.1 Sublimazione e raccoglimento
Nella figura 2.3 e rappresentato il principio di funzionamento di una cella.
Come si puo notare i parametri fondamentali per lo studio del suo funzio-
namento sono la temperatura, la pressione, il flusso di gas inerte iniettato e
quello uscente.
Figura 2.3: Principio di funzionamento di una cella.
Aumentando la temperatura della cella parte del materiale organico sulla
superficie sublima e si miscela con il gas iniettato per poi essere trasportato
all’esterno della cella attraverso l’apertura di una valvola. Come si puo vedere
dai grafici sottostanti di figura 2.4 esiste una forte dipendenza tra le varie
grandezze caratterizzanti il funzionamento della cella.
Figura 2.4: (a) Grafico in cui si nota che a temperatura costante se vi e unbasso flusso di gas inerte l’ambiente della cella tende a saturarsi di moleco-le organiche, mentre la concentrazione tende a diminuire all’aumentare delflusso. (b) Grafico in cui si vede che mantenendo costante il flusso, se si au-menta la temperatura aumenta inevitabilmente il rate di sublimazione dellemolecole e quindi aumenta la concentrazione di molecole organiche nel gasall’interno della cella. (c) E’ rappresentata la dipendenza della quantita dimateriale organico uscente dalla cella dal flusso di gas e dalla temperatura.
Cio che interessa calcolare per quanto riguarda questa fase e la quantita di
materiale organico uscente dalla cella e come questo puo essere regolato. E
lecito affermare che il rate di materiale organico in uscita rout e:
rout = revap − rcond (2.1)
dove revap e il rate di evaporazione e rcond e quello di condensazione all’interno
della cella come e schematizzato in figura 2.3. Per quanto riguarda rcond,
esso dipende dal parametro α che quantifica la probabilita che le molecole
scontrandosi tra loro o con la superficie si ricombinino e quindi si ridepositino
sul fondo:
rcond = PorgAe1√
2πMorgkbTα (2.2)
Dove: Ae e l’area effettiva della parete della cella e del materiale organico,
Morg e la massa molecolare, il termine a denominatore rappresenta la fre-
quenza delle collisioni con la parete, kb e la costante di Boltzman e T la
temperatura. In modo simile Revap:
revap = PeqAe1√
2πMorgkBT(2.3)
All’equilibrio Peq = Porg, in altre condizioni invece αPorg = Peq di conseguen-
za inserendo nell’equazione iniziale si trova:
rout = (Peq − Porg)αAe1√
2πMorgkBT(2.4)
L’equazione di Clausius–Clapeyron, relativa al punto di equilibrio della cella
e:
Peq = P0 exp
(−∆Hvap
RTcell
)(2.5)
Dove ∆Hvap e l’entalpia di vaporizzazione del materiale organico, R la co-
stante universale dei gas. Se ipotizziamo che il gas e il materiale organico si
mescolino perfettamente all’interno della cella si ottiene che:
rout = VPorgRTcell
(2.6)
dalle equazioni precedenti di conseguenza si ottiene:
Porg =P0 exp
(−∆Hvap
RTcell
)V
RTcell+
√2πMorgkBT
αAe
(2.7)
rout =P0 exp
(−∆Hvap
i
RTcell
)RTcellV
+
√2πMorgkBT
αAe
(2.8)
Usando come unita di misura del flusso di gas il centimetro cubo per minuto
sccm (Standard Cubic Centimeters per Minute)si ottiene:
V =TcellTstd
PstdPcell
Vsccm (2.9)
Dove Vsccm e V espresso in sccm Tstd = 298 K e Pstd = 760 tor sono costanti
standard.
Di conseguenza la 2.8 diventa:
rout =P0 exp
(−∆Hvap
RTcell
)RTstdVsccm
Pcell
Pstd+√
2πMikBTαAe
(2.10)
Ritrovando in questo modo il comportamento descritto nella figura 2.4c.
∆Hvap, α e Ae sono ricavabili sperimentalmente e attraverso gli ultimi due e
possibile ottenere facilmente un unico parametro che permette di regolare il
flusso della cella.
2.1.2 Trasporto e miscelazione
Dopo essere uscito dalla cella il gas viene diluito ed eventualmente miscelato
con quelli uscenti dalle altre celle. Il flusso di gas e fondamentale non solo per
il trasporto ma anche perche regola la concentrazione di materiale organico,
la temperatura, e altri aspetti che determinano le caratteristiche finali del
semiconduttore. Se si assume che i vapori uscenti dalle celle si mescolino
perfettamente con il gas trasportatore, si ottiene che la concentrazione totale
di materiale organico nella camera e:
c =rout
˙Vtot(2.11)
dove Vtot e il gas totale che si trova nella zona di deposizione cioe: Vtot =
Vcam + Vcel dove questa volta Vcel e il flusso proveniente dalle celle ricco di
materiale organico e Vdil e il flusso adibito al trasporto e alla diluizione. Come
risultato importante si trova che la concentrazione di materiale organico nella
camera proveniente dalla i-esima cella e:
ci =P0,i exp
(−∆Hvap
i
RTcell
)[RTstdVsccm
Pcell
Pstd+
√2πMikBTcell,i
αAe
] [∑Vi + Vdil
] (2.12)
Quest’equazione e fondamentale in quanto determina la concentrazione dell’i-
esimo componente organico che si depositera per formare il semiconduttore.
2.1.3 Deposizione
Il materiale organico trasportato dal gas scontrandosi con la superficie fred-
da del supporto si condensa depositandosi sopra. Il rapporto tra il rate di
deposizione e l’area in cui si deposita e dato da:
jorg =rdepAsub
= Dorg∇Corg = Dorg
P gasorg
RT
P surforg
RTsurf
δ(2.13)
dove Dorg e la diffusivita del gas contenente il materiale organico nel gas
trasportatore P gasorg e P gas
surf sono rispettivamente le pressioni del gas organi-
co distante e vicino al supporto, T temperatura della camera di deposizione
e Tsurf la quella della superficie del supporto. Se il supporto ha una tem-
peratura molto inferiore a quella della camera di deposizione allora anche
P surorg << P gas
org e quindi l’equazione 2.13 diventa:
jorg = Dorgcorgδ
(2.14)
Combinando le equazioni precedenti si ottiene che per l’i-esimo componente
organico:
ji = ηdep ·Di
δ
P0,i exp(−∆Hvap
i
RTcell
)[RTstdVsccm
Pcell
Pstd+√
2πm$RTcell,iαAe
] [∑Vi + Vdil
] (2.15)
Dove ηdep e l’efficienza della deposizione.
Variando alcuni parametri all’interno della camera di deposizione, per
esempio la temperatura del supporto, la pressione della camera e la concentra-
zione di molecole organiche nel gas e possibile ottenere dei semiconduttori con
caratteristiche diverse. Se per esempio la temperatura del substrato e relati-
vamente alta e il rate di deposizione abbastanza basso, le molecole organiche
hanno il tempo e l’energia di formare un reticolo cristallino tridimensionale
ordinato.
In questo modo e possibile ottenere semiconduttori planari estesi con alta
precisione, adatti a formare larghe aree di interfaccia e reti compenetranti,
essenziali per ottenere un’alta efficienza nei pannelli fotovoltaici. Se invece
le condizioni di deposizione sono: bassa temperatura del supporto, bassa
pressione all’interno della camera di deposizione e alto rate di deposizione,
definito rate cinetico, il risultato sara molto diverso. In quest’ultimo caso
infatti non avendo il tempo di formare un reticolo cristallino le molecole
condensano velocemente formando un materiale amorfo o formato da tanti
piccoli cristalli, che prende la forma del supporto sopra cui si deposita.
Con questi due modi di far avvenire la deposizione e quindi possibile otte-
nere materiali con struttura amorfa, policristallina o cristallina che permette
la creazione di diversi tipi di dispositivi. E’ dimostrato sperimentalmente che
e possibile depositare uno strato di molecole alla volta e susseguire strati di
diverso materiale organico con altissima precisione. Il fatto che il processo
sia facilmente regolabile e quindi permetta di ottenere superfici relativamente
ampie con le stesse proprieta, struttura e grado di purezza lo rende adatto
per la produzione di massa di dispositivi organici.
2.2 Inkjet printing
Ora viene posta attenzione ad un’altra tecnologia utilizzata per la produ-
zione di dispositivi elettronici denominata stampa a getto d’inchiostro. Per
inchiostro si intende il materiale organico disciolto in uno o piu solventi (in
media dai cinque agli otto) il quale inizialmente e posto in un serbatoio. Il
serbatoio e collegato ad uno spruzzatore che in modalita diverse, in base al-
la tecnologia usata, attraverso un ugello spruzza l’inchiostro sotto forma di
minuscole gocce sul supporto, dove dopo un breve tempo si asciuga. Queste
gocce vengono depositate seguendo uno schema ben preciso regolato oppor-
tunamente via software in base al materiale organico che si vuole produrre
come si vede per esempio in figura 2.5.
Figura 2.5: Rappresentazione di possibili spaziature tra i punti sopra i qualisi depositeranno le gocce.
In questo modo e possibile realizzare forme diverse, anche complicate,
in supporti di diversa forma senza aver bisogno di maschere, abbattendo
notevolmente i costi di produzione. La notevole precisione che si riesce ad
ottenere consente inoltre di minimizzare gli sprechi di materiale organico. In
linea teorica non sarebbe difficile raccogliere il materiale organico inutilizza-
to, ma risulta molto difficile riottenere l’inchiostro con le caratteristiche di
partenza, dato che molti solventi sono alquanto volatili. Un altro aspetto
positivo di questo metodo di deposizione sta nel fatto che avviene a bassa
temperatura e cio permette di utilizzare supporti di vario tipo come: vetro,
silicio, metalli, gomme, plastica e altri materiali sensibili.
Com’e stato detto in precedenza l’inchiostro viene depositato nel supporto
sotto forma di gocce che formeranno i vari strati del semiconduttore. Si riesce
quindi ad ottenere un prodotto finale in 3D, che in base all’applicazione puo
presentare strati di materiale organico diverso. Affinche la deposizione di
uno strato di diverso tipo dal precedente avvenga con successo occorre che
i materiali organici e i solventi utilizzati non si influenzino negativamente
danneggiando la struttura del dispositivo che si vuole ottenere.
In generale una volta che l’inchiostro si e asciugato sopra il substrato, e
quindi vi e rimasto solo il materiale organico privo dei solventi, lo spessore
dello strato organico risulta:
d = NdVdc
ρ(2.16)
doveNd e il numero di gocce per area, Vd il loro volume ec
ρe la concentrazione
di materiale organico nell’inchiostro.
Uno degli aspetti limitanti di questa tecnologia consiste nella presenza
di innumerevoli parametri che determinano la morfologia e l’omogeneita del
prodotto. Studi approfonditi hanno individuato i seguenti parametri princi-
pali: concentrazione di materiale organico nel solvente, sistema dei solventi,
rapporto di miscela, distanza tra i punti, e temperatura del supporto. Ad
ogni modo in alcuni casi la combinazione di questi non e sufficiente anche
a causa di alcuni parametri ancora sconosciuti o poco prevedibili. Un altro
aspetto che chiaramente limita questa tecnologia e il fatto che e possibile
usare solo dei materiali organici che si prestano a formare delle soluzioni con
dei solventi o che per lo meno restano in sospensione.
In base ai requisiti che deve avere il prodotto finale e possibile modifi-
care alcuni (parametri per esempio la velocita di deposizione) aumentando
il numero di spruzzatori, oppure modificare la forma delle gocce che hanno
diametro pari a quello dell’ugello.
In seguito vengono riportati due principali metodi di deposizione.
2.2.1 Stampa a getto d’inchiostro continuo
In figura 2.6 e rappresentato il principio di funzionamento della stampa a get-
to d’inchiostro continuo. L’inchiostro che arriva allo spruzzatore viene espulso
in modo continuo (da qui il nome) e l’oscillazione di un cristallo piezoelettrico
genera delle onde acustiche che scindono il getto in gocce. L’utilizzo di que-
sto dispositivo e da considerarsi come precauzione, infatti il getto d’inchiostro
tende da solo a scomporsi in gocce grazie alla tensione superficiale.
Una volta uscite dall’ugello le gocce vengono caricate elettrostaticamente
con l’ausilio di un capo elettrico. In seguito la traiettoria delle gocce che
effettivamente sono state caricate viene modificata da un ulteriore campo
che da loro la direzione desiderata verso il supporto. Il supporto muovendosi
crea il pattern desiderato. Le gocce che non subiscono il cambio di direzione
perche non caricate a sufficienza vengono raccolte e ricondotte allo spruzzato-
re. Questo tipo di stampa permette di eseguire la deposizione dell’inchiostro
velocemente, con una limitata precisione
Figura 2.6: Principio di funzionamento di sistema di stampa a getto continuod’inchiostro.
2.2.2 Stampa a getto d’inchiostro Drop-On-Demand
DOD
Figura 2.7: Principio di funzionamento di un sistema DOD.
A differenza della precedente, la stampa a getto d’inchiostro definita
Drop-On-Demand non prevede nessun tipo di riutilizzo dell’inchiostro non
utilizzato, infatti esso deriva da un serbatoio isolato e viene spruzzato ogni
qual volta sia richiesto, vedi figura 2.7. Da qui il nome Drop-On-Demand.
Esistono due tipi di DOD a seconda del modo in cui viene espulso l’in-
chiostro dall’ugello: DOD termico, DOD piezoelettrico.
DOD temico
Come si puo vedere dalla figura 2.8 all’interno di ogni spruzzatore di un
DOD termico e situata una resistenza. Nel momento in cui e richiesto che
venga espulsa una goccia d’inchiostro, viene fatta passare corrente elettrica
all’interno della resistenza che si scalda per effetto Joule. Riscaldandosi la
resistenza fa aumentare la temperatura dell’inchiostro che vaporizzando fa
aumentare la pressione all’interno dello spruzzatore, finche viene espulsa la
goccia attraverso l’ugello.
Figura 2.8: Fasi dell’espulsione di una goccia d’inchiostro da un DODtermico.
DOD piezoelettrico
Nel DOD piezoelettrico lo spruzzo d’inchiostro avviene grazie alla deforma-
zione di un materiale piezoelettrico in seguito all’applicazione di un campo
elettrico. Al fine di non far uscire inutilmente inchiostro dall’ugello, come
si vede dalla figura 2.9, non appena viene espulsa una goccia il materiale
piezoelettrico si porta in una posizione di riposo piu arretrata che crea un
piccola depressione.
Figura 2.9: Fasi dell’espulsione di una goccia d’inchiostro da un DODpiezoelettrico.
Capitolo 3
Transistor organici
Come e stato spiegato nel capitolo precedente, la produzione di semicondut-
tori organici e molto piu conveniente di quella dei semiconduttori inorganici.
All’inizio della produzione di massa dei dispositivi elettronici questo van-
taggio non poteva essere sfruttato a causa delle bassissime prestazioni dei
materiali organici che si potevano ottenere con la strumentazione disponibi-
le. La causa principale della bassa efficienza di questi semiconduttori derivava
dalla loro scarsa purezza e disordine interno. Con il progredire della tecno-
logia pero, questi semiconduttori stanno assumendo un’importanza sempre
maggiore, tanto che nel 1970 venne scoperto che anche nei semiconduttori
organici era possibile ottenere un effetto di campo simile a quello dei se-
miconduttori inorganici. Questa scoperta porto alla realizzazione del primo
OFET (Organic Field Effect Transistor) nel 1983 che spalanco le porte ad
un nuovo sviluppo dell’elettronica.
3.1 Struttura del transistor
Il transistor e formato da tre parti principali: semiconduttore, isolante e tre
elettrodi chiamati surce, drain e gate. Come si puo vedere dalla figura 3.1
esistono piu configurazioni di OTFT possibili. La scelta tra quale transi-
stor utilizzare dipende oltre che dalla sua applicazione anche dalla tecnologia
usata per realizzarlo. In linea generale pero, la sua struttura consiste in
31
due elettrodi: drain e surce collegati da un semiconduttore, il tutto separato
attraverso un isolante dall’elettrodo gate.
Figura 3.1: Quattro configurazioni base della struttura di un OFET, distin-te in base al posizionamento degli elettrodi del semiconduttore organico edell’isolante.
Convenzionalmente l’aggettivo organico puo essere attribuito al transistor
solo se almeno il semiconduttore e realizzato con materiale organico. Come
spesso accade infatti gli elettrodi sono costituiti da materiali metallici. A
differenza dei transistor inorganici, dove troviamo diverse famiglie in base
al principio di funzionamento e materiali utilizzati, in quelli organici e stata
realizzata prevalentemente la famiglia dei transistor che sfruttano l’effetto di
capo a film sottile OTFT (Organic Thin Film Transistor). Di conseguenza
parlare di OFET o di OTFT e equivalente.
3.2 Funzionamento del transistor
Come e stato detto nel primo capitolo, i semiconduttori organici hanno strut-
tura e proprieta fisico-chimiche molto differenti da quelli inorganici, comune-
mente vengono associate le caratteristiche che microscopicamente sono molto
diverse ma che macroscopicamente portano risultati simili. Una caratteristi-
ca che rispecchia questa filosofia e la classificazione dei semiconduttori come
“p” o “n”. Mentre un semiconduttore inorganico viene definito di tipo p o n
in base al fatto che i portatori di carica maggioritari siano rispettivamente
lacune o elettroni in seguito ad un opportuno drogaggio, per i semiconduttori
organici l’attribuzione segue principi diversi. Ricordando che la conduzione
dei portatori di carica e strettamente legata agli stati HOMO e LUMO. Quin-
di un semiconduttore organico viene definito di tipo p se risulta piu semplice
iniettare lacune al suo interno, ovvero il livello di Fermi dell’elettrodo e piu
vicino allo stato HOMO. Analogamente un semiconduttore organico viene
definito di tipo n qualora sia piu semplice iniettare elettroni al suo inter-
no, perche il livello di Fermi dell’elettrodo e piu vicino allo stato LUMO.
Questa differenza, seppur fondamentale, permette lo stesso che possa verifi-
carsi all’interno del semiconduttore un effetto di campo simile ai transistor
inorganici.
Come per i transistor inorganici, non appena viene applicata una tensione
al gate, l’elettrodo si comporta come un condensatore a facce piane e parallele.
In particolare se gli viene applicata una tensione negativa, dall’altra parte
dell’isolante viene a crearsi un accumulo di carica positiva uguale in modulo.
Questo accumulo di carica si comporta come un canale tra l’elettrodo di drain
e quello di surce la cui grandezza dipende appunto dal valore della tensione
di gate. In pratica, come era stato detto nella descrizione del modello VRH,
l’accumulo di cariche nel semiconduttore in prossimita dell’isolante fa in modo
che la maggior parte delle trappole presenti in quel luogo vengano riempite
e quindi venga modificato il rapporto tra cariche libere e cariche totali.
Figura 3.2: Caratteristica d’uscita di un OTFT, le eventuali imperfezionidella caratteristica sono da attribuire alle imperfezioni del semiconduttore.
Come per i transistor inorganici viene definita una tensione di soglia VT
della VG oltre la quale si puo affermare che il canale si e formato. Una volta
che il canale si e formato, se viene applicata una differenza di potenziale tra il
surce e il drain e possibile far scorrere corrente attraverso il canale. Come si
puo vedere dalla figura 3.2, analogamente ai transistor inorganici, si possono
distinguere due zone di funzionamento, lineare e di saturazione. La zona di
saturazione in particolare viene raggiunta non appena il canale si strozza a
causa della elevata corrente di drain ID e di conseguenza tale corrente non
dipende piu dalla tensione di drain VD.
IDlin =W
LµCi (VG − VT )VD (3.1)
IDsat =W
2LµCi (VG − VT )2 (3.2)
3.2.1 Resistenza di contatto e mobilita
La limitazione dei primi transistor organici consisteva prevalentemente nel-
l’elevata resistenza del canale. In seguito al miglioramento della struttura
dei semiconduttori organici, pero, ci furono notevoli miglioramenti, tanto da
far passare il problema in secondo piano rispetto alla resistenza di contatto.
La resistenza di contatto e un fenomeno che si verifica nell’interfaccia tra
elettrodo di metallo e semiconduttore e in seguito verra approfondita la sua
origine.
Esistono diversi modelli che tengono conto di questa resistenza, che non
avendo un valore costante non e facile da determinare. Il primo modello
realizzato da Necliudov e ottenuto aggiungendo in serie al gate e al drain due
resistenze con valore costante e modificando la mobilita attraverso la formula
semi-empirica:
µ = k (VG − VT )γ (3.3)
dove k e γ sono parametri empirici.
In questo modo si puo tener conto dell’effetto della resistenza di contatto
Rc aggiungendo alla (1) la caduta di potenziale su queste due resistenze e
tenendo presente anche che ora la mobilita dipende da VG
IDlin =
(1(
WL
)Ciµ (VG − VT )
+Rc
)(3.4)
Il modello di Street invece, prevede di inserire all’estremita del canale
due zone di lunghezza totale d ai capi delle quali cade una tensione Vc. Di
conseguenza il canale risultera di lunghezza L− d, mentre la mobilita avra il
valore del modello precedente. Integrando l’equazione:
ID = WCiµ [VG − VT − V (x)]dV
dx(3.5)
Dove V(x) e il potenziale alla distanza x dal surce, si ottiene:
ID = CiµW
L− d{(VG − VT )VD −
V 2D
2−[(VG − VT )Vc −
V 2c
2
]} (3.6)
In particolare si puo osservare che per resistenze di contatto con comporta-
mento resistivo, cioe Vc = RCID e d << L si riottiene la (3.4).
Con questi due modelli si e tenuto conto della dipendenza della Rc dalla
VG unicamente attraverso la mobilita. In seguito viene proposto un modello
per capire l’origine della Rc e un metodo per trovarne sperimentalmente il
valore
3.2.2 Modello analitico della RC
Il TLM (Transfer Line Method)e una tecnica utilizzata per calcolare spe-
rimentalmente la resistenza di contatto. Al fine di capirne la causa e di
conseguenza giustificare i risultati sperimentali occorre capire quale sia la
sua origine fisica. Il transistor a cui si fa riferimento e un OTFT planare che
si puo vedere in figura 3.1. Il sistema di riferimento utilizzato e riportato
in figura 3.3 assieme al grafico rappresentante la distribuzione di lacune nel
canale formato all’interno di un semiconduttore organico di tipo p e nell’e-
lettrodo metallico di surce. In figura 3.4 sono inseriti invece due grafici che
rappresentano la densita di lacune all’interfaccia tra surce e il semiconduttore
organico di tipo p. Negli stessi grafici sono anche rappresentate due curve
tratteggiate Ys0 e Ysch che indicano rispettivamente l’estensione della zona
interessata dalla concentrazione di lacune lungo l’asse y.
Figura 3.3: Concentrazione di lacune nel canale e nel surce.
Figura 3.4: (a) Concentrazione di lacune e loro estensione a y=0 in funzione diEb nel surce (b) Concentrazione di lacune e loro estensione a y=0 in funzionedi VG nel semiconduttore di tipo p.
Nel grafico Eb e la differenza di energia tra il livello di Fermi dell’elettrodo e
lo stato HOMO del semiconduttore organico.
Cio che risulta evidente dall’osservazione delle figura 3.3 e 3.4 e la notevole
differenza di concentrazione di lacune all’interfaccia tra canale e surce, la
quale e la causa della resistenza di contatto. Per ricavare l’estensione della
sovrapposizione tra la zona di surce a bassa concentrazione di lacune e quella
ad alta concentrazione del canale che avviene lungo l’asse x si parte dalle
relazioni:
xch =
√εskT
q2Pch(3.7)
xs =
√εskT
q2Ps(3.8)
siccome Pch >> Ps allora xch << xs, di conseguenza xch puo essere trascu-
rata.
Figura 3.5: Grafico in scala logaritmica che rappresenta la concentrazione dilacune nel surce nella zona di sovrapposizione e nel canale.
In figura 3.5 e rappresentata in scala logaritmica la crescita esponenziale
di lacune nella zona di sovrapposizione espressa dall’equazione:
p(x) = ps exp
(x
xs
)(3.9)
Di conseguenza e possibile calcolare lo spessore t della sovrapposizione attra-
verso le equazioni:
p(t) = ps exp
(t
xs
)(3.10)
t = xs ln
(pchps
)(3.11)
Avendo ricavato t, e possibile calcolare la concentrazione media delle
lacune nella zona interessata:
pm =1
t
∫ t
0
p(x)dx =pst
∫ t
0
exp
(x
xs
)dx (3.12)
A questo punto e possibile ricavare la conduttanza infinitesimale dG del
canale di larghezza W:
dG = qµWpm(y)
t(y)dy (3.13)
Di conseguenza dal reciproco della conduttanza si ottiene la Rc
Rc =1
Gc
=
√εskT
q2µW
∫ d
0
pch(y)√ps(y)
ln(pch(y)ps(y)
)2 dy
−1
(3.14)
Da quest’ultima equazione, e facendo riferimento ai grafici di figura 3.4, si
capisce che i parametri principali che caratterizzano la resistenza di contatto
sono VG e Eb, in quanto le concentrazioni di lacune nel canale e nel surce
dipendono da essi.
Finora la mobilita e sempre stata considerata costante ma come si vedra
in seguito questo porta ad errori non trascurabili.
Figura 3.6: Grafico che mostra la dipendenza della Rc dalla VG e Eb.
3.2.3 Transfer Line Method TLM
Il metodo transfer line TLM si basa sul fatto che a differenza della resistenza
di contatto, la resistenza opposta dal canale e proporzionale a L. Sfruttando
questo fatto si puo ricavare la ID in zona lineare nel modo seguente:
ID =VDRtot
=VD
Rc +Rch
=VD
RC +[WLµCi|VG − VT |
]− 1
(3.15)
Di conseguenza attraverso la misura della ID e della VD e possibile calcolare
il valore di Rtot:
Rtot =VDID
= Rc +L
WµCi|VG − VT |(3.16)
A questo punto e possibile applicare il criterio del TLM realizzando un
grafico in cui e rappresentata la variazione della RtotW misurata sperimental-
mente in funzione della lunghezza di canale L. Infatti, la regressione lineare
della caratteristica ottenuta fornisce il valore di Rc nel punto dove L sarebbe
uguale a zero. Come si vede nel grafico di figura 3.7 la resistenza di contatto
decresce all’aumentare del modulo di VG come ci si aspettava.
Figura 3.7: Grafico che permette di ricavare la Rc attraverso il metodo TLM.
Se si confrontano i risultati ottenuti sperimentalmente con quelli calcolati
analiticamente con l’equazione (3.14) si ottengono dei risultati discordanti,
come si vede in figura 3.8. La causa di tale differenza e dovuta al fatto che
nella (3.14) la mobilita e stata considerata costante, ma come verra spiegato
nel seguente paragrafo questa approssimazione non si puo eseguire.
Figura 3.8: Confronto tra i valori di RcW in funzione di |VG − VT | calcolatiattraverso la (3.14) con e senza la correzione della mobilita e ricavati con ilmetodo TLM.
3.2.4 Dipendenza della mobilita dalla VG
Com’e stato detto nel primo capitolo, la mobilita dei semiconduttori organici
varia attraverso l’applicazione di un campo elettrico esterno. Nel caso dei
transistor questo si traduce nella formazione del canale tra surce e drain.
Basandosi sul modello MTR si ottiene la stessa equazione dei modelli esposti
precedentemente:
µ = k (VG − VT )γ (3.17)
Come si puo notare dal grafico di figura 3.9 All’aumentare della VG la
mobilita cresce linearmente fino ad un valore critico dove dopo il quale decre-
sce. Questo fenomeno e attribuito all’eccessivo disordine causato dall’elevato
campo elettrico. Siccome la maggior parte dei portatori di carica si trova
all’interfaccia tra isolante e semiconduttore la mobilita diminuisce. Di conse-
guenza la dipendenza della mobilita dal campo non puo essere trascurata se
si vuole stimare analiticamente il valore della RC . Come si vede dalla figura
3.8 se si usa la (3.17) nella (3.14) i dati sperimentali concordano con quelli
analitici.
Figura 3.9: Mobilita in funzione di |VG − VT |.
Capitolo 4
Applicazioni
I dispositivi organici a differenza di quelli inorganici presentano delle presta-
zioni molto inferiori, per esempio la mobilita di un semiconduttore organico
risulta mediamente di tre ordini di grandezza inferiore rispetto ad uno inor-
ganico. Di conseguenza lo sviluppo dell’elettronica organica e strettamente
legato alla possibilita di realizzare dispositivi dove le sue caratteristiche vin-
centi sopperiscono alla bassa efficienza. Com’e stato gia accennato nel primo
e nel secondo capitolo, i suoi punti di forza consistono nella possibilita di
realizzare dispositivi che godono di un’elevata elasticita e che possono essere
realizzati con bassi costi di produzione.
Un grande vantaggio dell’elettronica organica rispetto all’inorganica e
quello di riuscire a produrre dispositivi flessibili e allungabili. Di conseguenza
viene aperta una nuova frontiera di applicazioni dell’elettronica che in passato
era impensabile.
Un’applicazione consiste nella possibilita di riprodurre o monitorare al-
cuni comportamenti umani come si potra vedere nel seguito.
4.0.5 E-textiles
Per E-textiles si intende parlare di dispositivi non invasivi in grado di monito-
rare parametri del corpo come postura, respirazione etc che vengono applicati
ai vestiti. Un primo esempio, come si vede dalla figura 4.1, consiste in stri-
43
sce piezoresistive in grado di monitorare la postura di un soggetto e i suoi
movimenti.
Figura 4.1: Strisce piezoresistive in grado di monitorare la postura di unsoggetto e i suoi movimenti.
Figura 4.2: Sensore che rileva il movimento del dito.
Figura 4.3: Variazioni della ID in funzione del tempo in base ai movimentidel dito.
In un altro caso, come si puo vedere dalla figura 4.2, un sensore e posto
nel dito indice di un paziente e in base alla posizione del dito si registra un
aumento o una diminuzione della ID come si vede dalla figura 4.3. Infatti, i
sensori di pressione sono di fatto degli OFET, dove una variazione di pressione
applicata su di essi genera una variazione della mobilita del canale.
4.0.6 E-Skin
Un’applicazione la si ritrova nell’ambito della robotica, si tratta della realiz-
zazione di pelle elettronica: E-Skin. La pelle umana e in grado di captare
attraverso il tatto molte piu informazioni contemporaneamente di quante sia
capace una E-Skin. in figura 4.4 e rappresentato lo schema di un sensore in
grado di misurare variazioni di temperatura e pressione. Questi sensori sono
distribuiti per tutta la superficie che si vuole rendere sensibile. Il fatto che nel
processo di fabbricazione la deposizione del materiale organico puo essere ef-
fettuata in molteplici supporti, e che i dispositivi possono subire deformazioni
senza essere danneggiati, e possibile ricoprire aree di diverse forme.
Figura 4.4: Modello di un sensore in grado di captare variazioni di pressionee di temperatura.
4.0.7 Tatuaggi elettronici
Come si puo vedere dalla figura 4.5, e possibile realizzare dei dispositivi in
grado di restare attaccati alla pelle umana come un tatuaggio. Questi sono
in grado di effettuare in modo continuativo analisi mediche sul paziente in
cui sono applicati. Si puo notare che anche se i tempi di processazione dei
dati non sono brevi come per l’elettronica inorganica, il risultato e lo stesso
soddisfacente.
Figura 4.5: Tatuaggio elettronico capace di resistere ad allungamento ecompressione.
4.0.8 ORFID
Un’altra applicazione con scopi totalmente diversi e la realizzazione di OR-
FID organici ( Organic Radio frequency identification). Gli ORFID sono dei
dispositivi che possono essere visti come dei codici a barre leggibili a grande
distanza. Infatti essi sono in grado di memorizzare al loro interno delle infor-
mazioni che in genere identificano il prodotto a cui sono applicati. Un RFID
e composto da tre parti principali:
� 1- Un’antenna, che ricevendo un segnale a radio frequenza, riesce a for-
nire grazie all’induzione elettromagnetica una piccola corrente elettrica
al tag l’ORFID
� 2- Un chip, che converte la corrente elettrica proveniente dall’antenna
da AC in DC al fine di caricare un condensatore. Questo condensatore
e in grado di immagazzinare un’energia tale da essere in grado di inviare
i dati che identificano il tag dell’ORFID
� 3- Un lettore, che inizialmente aveva inviato il segnala di interrogazione
e fornito l’energia al tag dell’ORFID, ora attraverso la sua antenna
riceve la risposta contenuta del cip ovvero l’ID.
Il grande vantaggio ottenuto realizzando questi dispositivi con materiali
organici, oltre al fatto di averli resi flessibili, e l’abbattimento notevole dei
costi di produzione.Un esempio di ORFID e riportato in figura 4.6.
Figura 4.6: ORFID.
Conclusione
Il progressivo sviluppo dei materiali organici, soprattutto in termini di purez-
za, hanno permesso la realizzazione di semiconduttori sempre piu efficienti
e con maggiore stabilita rispetto alle degradazioni provocate dall’ambiente.
In ogni caso, l’elettronica organica non puo essere confrontata direttamente
con quella inorganica fino a che le sue prestazioni non raggiungono valori
confrontabili. Cio non toglie che sia possibile apprezzarne alcuni vantaggi
come: la produzione di dispositivi elettronici a basso costo, nei casi in cui
l’efficienza dei materiali inorganici non e indispensabile, la realizzazione di
dispositivi che hanno proprieta inconciliabili con i materiali inorganici, come
la flessibilita e l’elasticita.
49
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